CY7C1518KV18-333BZC、GS8662T18BGD-333I、CY7C1518KV18-333BZXI对比区别

高亮显示差异参数

型号 CY7C1518KV18-333BZC GS8662T18BGD-333I CY7C1518KV18-333BZXI

描述 72兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165Pin FBGA Tray72兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 LBGA-165 FBGA LBGA-165

长度 - 15 mm -

宽度 - 13 mm -

封装 LBGA-165 FBGA LBGA-165

高度 0.89 mm - 0.89 mm

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

位数 18 - -

存取时间 0.45 ns - -

存取时间(Max) 0.45 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

时钟频率 - - 333 MHz

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -40℃ ~ 85℃ (TA)