CY7C1518KV18-333BZC中文资料参数规格
技术参数
位数 18
存取时间 0.45 ns
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 LBGA-165
外形尺寸
高度 0.89 mm
封装 LBGA-165
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
CY7C1518KV18-333BZC引脚图与封装图
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在线购买CY7C1518KV18-333BZC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C1518KV18-333BZC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 72兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture | 搜索库存 |
替代型号CY7C1518KV18-333BZC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C1518KV18-333BZC 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： FBGA | 当前型号 | 72兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture | 当前型号 |
| 型号： CY7C1518KV18-333BZXC 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 完全替代 | 72兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture | CY7C1518KV18-333BZC和CY7C1518KV18-333BZXC的区别 |
| 型号： CY7C1518KV18-333BZXI 品牌： 赛普拉斯 封装： 165-LBGA | 类似代替 | 72兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture | CY7C1518KV18-333BZC和CY7C1518KV18-333BZXI的区别 |
| 型号： GS8662T18BGD-333I 品牌： GSI 封装： | 功能相似 | SRAM Chip Sync Single 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165Pin FBGA Tray | CY7C1518KV18-333BZC和GS8662T18BGD-333I的区别 |