MT47H64M8SH-25E:H、MT47H64M8CF-25E:G TR、MT47H64M8JN-25E:G对比区别

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型号 MT47H64M8SH-25E:H MT47H64M8CF-25E:G TR MT47H64M8JN-25E:G

描述 DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA T/RDRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

封装 TFBGA-60 TFBGA-60 TFBGA-60

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 60 60 -

工作电压 - - 1.80 V

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

时钟频率 400 MHz - -

位数 8 8 -

存取时间 400 ps - -

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

封装 TFBGA-60 TFBGA-60 TFBGA-60

高度 - 0.8 mm -

工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free