MT47H64M8SH-25E:H

Micron(镁光) 主动器件

DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb 64M x 8 Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA 8x10

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

立创商城:
MT47H64M8SH-25E:H

艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA

安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64M x 8 1.8V 60-Pin FBGA

Chip1Stop:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64Mx8 1.8V

MT47H64M8SH-25E:H中文资料参数规格

技术参数

时钟频率 400 MHz

位数 8

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

MT47H64M8SH-25E:H引脚图与封装图

MT47H64M8SH-25E:H引脚图

MT47H64M8SH-25E:H封装焊盘图

在线购买MT47H64M8SH-25E:H

型号	制造商	描述	购买
MT47H64M8SH-25E:H	Micron 镁光	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60	搜索库存

替代型号MT47H64M8SH-25E:H

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MT47H64M8SH-25E:H 品牌： Micron 镁光封装： 60-TFBGA	当前型号	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60	当前型号
型号： MT47H64M8CF-25E:G 品牌：镁光封装： FBGA	完全替代	DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA	MT47H64M8SH-25E:H和MT47H64M8CF-25E:G的区别
型号： MT47H64M8JN-25E:G 品牌：镁光封装： 60-TFBGA	完全替代	DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA	MT47H64M8SH-25E:H和MT47H64M8JN-25E:G的区别
型号： MT47H64M8CF-25E:G TR 品牌：镁光封装： 60-TFBGA	完全替代	DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA T/R	MT47H64M8SH-25E:H和MT47H64M8CF-25E:G TR的区别