PBLS4002D、PBLS4002D,115对比区别

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型号 PBLS4002D PBLS4002D,115

描述 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsTSOP NPN+PNP 50V/40V 100mA/1A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TSOP SOT-457

引脚数 - 6

极性 NPN+PNP NPN+PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50V, 40V 50V, 40V

集电极最大允许电流 100mA/1A 100mA/1A

耗散功率 - 600 mW

额定功率(Max) - 600 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

增益带宽 - 150MHz (Min)

耗散功率(Max) - 600 mW

封装 TSOP SOT-457

高度 - 1 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

ECCN代码 - -