极性 NPN+PNP
耗散功率 600 mW
击穿电压集电极-发射极 50V, 40V
集电极最大允许电流 100mA/1A
额定功率Max 600 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 150MHz Min
耗散功率Max 600 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
高度 1 mm
封装 SOT-457
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PBLS4002D,115 | NXP 恩智浦 | TSOP NPN+PNP 50V/40V 100mA/1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PBLS4002D,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-74 NPN PNP 600mW | 当前型号 | TSOP NPN+PNP 50V/40V 100mA/1A | 当前型号 | |
型号: PBLS4002D 品牌: 恩智浦 封装: TSOP NPN+PNP | 类似代替 | 低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat BISS transistors | PBLS4002D,115和PBLS4002D的区别 | |
型号: XN0431600L 品牌: 松下 封装: SOT-23-6 NPN PNP 50V 100mA | 功能相似 | Mini6-G1 NPN+PNP 50V 100mA | PBLS4002D,115和XN0431600L的区别 |