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TLC2252QDG4、TLC2252QDRG4、TLC2252AIDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2252QDG4 TLC2252QDRG4 TLC2252AIDR

描述 高级LinCMOS⑩轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS⑩ RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS⑩轨到轨极低功耗运算放大器 Advanced LinCMOS⑩ RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLC2252AIDR  运算放大器, 210 kHz, 2个放大器, 0.12 V/µs, ± 2.2V 至 ± 8V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 80 µA 80 µA 80 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 500 nV/K

带宽 200 kHz 200 kHz 210 kHz

转换速率 120 mV/μs 120 mV/μs 120 mV/μs

增益频宽积 210 kHz 210 kHz 210 kHz

输入补偿电压 200 µV 200 µV 200 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

输出电流 - - ≤50 mA

针脚数 - - 8

耗散功率 - - 724 mW

共模抑制比 - - 70 dB

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

增益带宽 - - 0.2 MHz

耗散功率(Max) - - 724 mW

共模抑制比(Min) - - 70 dB

电源电压 - - 4.4V ~ 16V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube, Rail Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15