CSD17552Q5A、IRFH8330TR2PBF、NVTFS4C08NTAG对比区别
型号 CSD17552Q5A IRFH8330TR2PBF NVTFS4C08NTAG
描述 30V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17552Q5AN 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。30V,55A,5.9mΩ,单N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-FET-8 QFN-8 WDFN-8
耗散功率 3 W 3.3 W 31 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
输入电容(Ciss) 2050pF @15V(Vds) 1450pF @25V(Vds) 1113pF @15V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta) 3.3W (Ta), 35W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
通道数 1 1 -
漏源极电阻 0.0051 Ω 0.0053 Ω -
极性 N-Channel N-CH -
阈值电压 1.5 V 1.8 V -
漏源击穿电压 30 V 30 V -
连续漏极电流(Ids) 88A 17A -
上升时间 11.4 ns 15 ns -
下降时间 3.6 ns 5.7 ns -
针脚数 8 - -
额定功率(Max) 3 W - -
封装 VSON-FET-8 QFN-8 WDFN-8
长度 6 mm 5.85 mm -
宽度 4.9 mm 5 mm -
高度 1 mm 1.17 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 正在供货 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -