TLV2621IDG4、TLV2621IDR、TLV2621ID对比区别

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型号 TLV2621IDG4 TLV2621IDR TLV2621ID

描述 系列低功耗高带宽单电源运算放大器，带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低功耗高带宽单电源运算放大器，带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN系列低功耗高带宽单电源运算放大器，带有关断的 FAMILY OF LOW-POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWN

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 - 28mA @5V -

供电电流 800 µA 800 µA 800 µA

电路数 1 1 1

通道数 - 1 -

耗散功率 - 710 mW -

共模抑制比 - 78 dB -

输入补偿漂移 - 3.00 µV/K 3.00 µV/K

带宽 11.0 MHz 11.0 MHz 11.0 MHz

转换速率 9.50 V/μs 6.00 V/μs 9.50 V/μs

增益频宽积 11 MHz 11 MHz 11 MHz

过温保护 - No -

输入补偿电压 250 µV 250 µV 250 µV

输入偏置电流 2 pA 2 pA 2 pA

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

增益带宽 - 11 MHz 11 MHz

耗散功率(Max) - 710 mW -

共模抑制比(Min) - 78 dB -

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 - 1.58 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free