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TL052ACDR、TL052IDRE4、TL052ACDRG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL052ACDR TL052IDRE4 TL052ACDRG4

描述 JFET,低偏置运算放大器增强型JFET低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS增强型JFET低偏移运算放大器 ENHANCED-JFET LOW-OFFSET OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤80 mA - -

供电电流 4.8 mA 4.8 mA 4.8 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 65 dB 75dB ~ 93dB 65 dB

输入补偿漂移 6.00 µV/K 6.00 µV/K 6.00 µV/K

带宽 3 MHz 3.00 MHz 3.00 MHz

转换速率 20.0 V/μs 20.0 V/μs 20.0 V/μs

增益频宽积 3 MHz 3 MHz 3 MHz

输入补偿电压 400 µV 650 µV 400 µV

输入偏置电流 30 pA 30 pA 30 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 40 ℃ -40 ℃

增益带宽 3 MHz - -

共模抑制比(Min) 65 dB - -

电源电压(Max) - 30 V -

电源电压(Min) - 10 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -