STW20NK50Z、STY140NS10、IRFP450B对比区别

高亮显示差异参数

型号 STW20NK50Z STY140NS10 IRFP450B

描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STY140NS10  晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 100 V, 10 mohm, 10 V, 4 V500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3

额定电压(DC) 500 V 100 V -

额定电流 17.0 A 140 A -

额定功率 190 W - -

通道数 1 - 1

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.23 Ω 10 mΩ 310 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 190 W 450 W 205 W

阈值电压 3.75 V 4 V -

输入电容 2600 pF - -

漏源极电压(Vds) 500 V 100 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 100 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 140 A 14.0 A

上升时间 20 ns 150 ns 130 ns

输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 12600pF @25V(Vds) 3800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 190 W 450 W -

下降时间 15 ns 270 ns 125 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 190W (Tc) 450W (Tc) 205W (Tc)

长度 15.75 mm - 16.2 mm

宽度 5.15 mm - 5 mm

高度 20.15 mm - 20.1 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

香港进出口证 - - NLR