W25Q64JVSSIQ、W25Q64FVSSIG TR、W25Q64FVSSIG对比区别

高亮显示差异参数

型号 W25Q64JVSSIQ W25Q64FVSSIG TR W25Q64FVSSIG

描述 64M-bit/8M-byte FLASH芯片,SPI接口 133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI) 比W25Q64FVSSIG更高速度NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 64M-bit 8M x 8 7ns 8Pin SOIC64-Mbit(8M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 Flash芯片存储芯片Flash芯片

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

安装方式 - - Surface Mount

位数 8 8 8

存取时间(Max) 6 ns 7 ns 7 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

工作电压 2.7V ~ 3.6V - 2.7V ~ 3.6V

供电电流 - - 20 mA

时钟频率 133 MHz - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

高度 - - 1.8 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 3A991.b.1.a - -