PBSS4140V、PBSS4140V,115、PBSS4140VT/R对比区别

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型号 PBSS4140V PBSS4140V,115 PBSS4140VT/R

描述 低饱和电压 NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP SemiconductorsSOT-666 NPN 40V 1ASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 SOT-666 SOT-563 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 300 mW 1200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 75 300 @500mA, 5V -

直流电流增益(hFE) 300 - -

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1.2 W 1200 mW -

最大电流放大倍数(hFE) - 300 @1mA, 5V -

额定功率(Max) - 500 mW -

长度 1.7 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.6 mm - -

封装 SOT-666 SOT-563 -

工作温度 -65℃ ~ 125℃ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -