PBSS4140V
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NXP
恩智浦
主动器件
PBSS4140V中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 75
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-666
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBSS4140V引脚图与封装图
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在线购买PBSS4140V
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS4140V | NXP 恩智浦 | 低饱和电压 NPN 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |
替代型号PBSS4140V
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS4140V 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-666 NPN 300mW | 当前型号 | 低饱和电压 NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | 当前型号 |
| 型号： PBSS4140V,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-563 NPN | 功能相似 | SOT-666 NPN 40V 1A | PBSS4140V和PBSS4140V,115的区别 |