IS62WV25616BLL-55TLI、M68AW256ML70ND6T、IS62WV25616BLL-55TLI-TR对比区别
型号 IS62WV25616BLL-55TLI M68AW256ML70ND6T IS62WV25616BLL-55TLI-TR
描述 RAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)4兆位( 256K ×16) 3.0V异步SRAM 4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM4-Mbit(256K × 16bit),并行接口,工作电压:2.5V to 3.6V
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) ST Microelectronics (意法半导体) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 44 44 44
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)
工作电压 3.3 V - 2.5V ~ 3.6V
位数 16 16 16
存取时间 55 ns 70.0 ns 55 ns
内存容量 500000 B 4000000 B 4000000 B
存取时间(Max) 55 ns 70 ns 55 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.5V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V
时钟频率 - 70.0 GHz -
长度 18.52 mm - -
宽度 10.29 mm - -
高度 1.05 mm - -
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead 无铅
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 3A991.b.2.a EAR99