M68AW256ML70ND6T
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
M68AW256ML70ND6T中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 70.0 GHz
位数 16
存取时间 70.0 ns
内存容量 4000000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 TSOP-44
外形尺寸
封装 TSOP-44
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 3A991.b.2.a
M68AW256ML70ND6T引脚图与封装图
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在线购买M68AW256ML70ND6T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| M68AW256ML70ND6T | ST Microelectronics 意法半导体 | 4兆位（ 256K ×16） 3.0V异步SRAM 4 Mbit 256K x16 3.0V Asynchronous SRAM | 搜索库存 |
替代型号M68AW256ML70ND6T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： M68AW256ML70ND6T 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： 44-TSOP 4000000B 3.3V 70ns | 当前型号 | 4兆位（ 256K ×16） 3.0V异步SRAM 4 Mbit 256K x16 3.0V Asynchronous SRAM | 当前型号 |
| 型号： M68AW256ML70ND6 品牌： 意法半导体 封装： | 完全替代 | 4兆位（ 256K ×16） 3.0V异步SRAM 4 Mbit 256K x16 3.0V Asynchronous SRAM | M68AW256ML70ND6T和M68AW256ML70ND6的区别 |
| 型号： IS62WV25616BLL-55TLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： TSOP-II-44 500000B 3.3V 55ns 44Pin | 功能相似 | RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器） | M68AW256ML70ND6T和IS62WV25616BLL-55TLI的区别 |