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MBR25H60CT-E3/45、VT3060G-E3/4W、MBR2560CT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MBR25H60CT-E3/45 VT3060G-E3/4W MBR2560CT

描述 Diode Schottky 60V 30A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky RectifierSCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Galaxy Semi-Conductor

分类 二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

正向电压 700mV @15A 730mV @15A -

正向电流 30 A - -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 150 A - -

正向电压(Max) 700mV @15A - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 65 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

长度 10.54 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 8.89 mm - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -