BZV55-C4V7,115、PEMH9,115、BZT55C4V7-GS08对比区别

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型号 BZV55-C4V7,115 PEMH9,115 BZT55C4V7-GS08

描述 NXP  BZV55-C4V7,115  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °CNXP  PEMH9,115.  晶体管, 带电阻, NPN, 50V, 100mA, 10KΩ/47KΩ, 6-SOT-666VISHAY  BZT55C4V7-GS08  单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 4.7 V, 500 mW, MiniMELF, 5 %, 2 引脚, 175 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管双极性晶体管齐纳二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 6 2

封装 SOD-80 SOT-666-6 SOD-80

通道数 - 2 -

极性 - NPN -

耗散功率 500 mW 0.3 W 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -

集电极最大允许电流 - 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @5mA, 5V -

额定功率(Max) 500 mW 300 mW 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 300 mW 500 mW

容差 ±5 % - ±5 %

额定功率 - - 0.5 W

针脚数 2 - 2

正向电压 900mV @10mA - 1.5V @200mA

测试电流 5 mA - 5 mA

稳压值 4.7 V - 4.7 V

正向电压(Max) 900mV @10mA - -

宽度 1.6 mm 1.3 mm -

高度 1.6 mm 0.6 mm 1.5 mm

封装 SOD-80 SOT-666-6 SOD-80

长度 3.7 mm - 3.7 mm

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 175℃

温度系数 -1.4 mV/K - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99