通道数 2
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666-6
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-666-6
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PEMH9,115 | NXP 恩智浦 | NXP PEMH9,115. 晶体管, 带电阻, NPN, 50V, 100mA, 10KΩ/47KΩ, 6-SOT-666 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PEMH9,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-666 NPN 300mW | 当前型号 | NXP PEMH9,115. 晶体管, 带电阻, NPN, 50V, 100mA, 10KΩ/47KΩ, 6-SOT-666 | 当前型号 | |
型号: PEMH9,315 品牌: 恩智浦 封装: SOT-563 NPN | 完全替代 | PEMH9 系列 50 V 100 mA NPN/NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-666 | PEMH9,115和PEMH9,315的区别 | |
型号: BZV55-C4V7,115 品牌: 恩智浦 封装: SOD-80C | 功能相似 | NXP BZV55-C4V7,115 单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C | PEMH9,115和BZV55-C4V7,115的区别 | |
型号: NSBC114YDP6T5G 品牌: 安森美 封装: SOT-963 NPN 408mW | 功能相似 | 双NPN偏置电阻晶体管 Dual NPN Bias Resistor Transistors | PEMH9,115和NSBC114YDP6T5G的区别 |