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PEMH9,115
NXP 恩智浦 分立器件

NXP  PEMH9,115.  晶体管, 带电阻, NPN, 50V, 100mA, 10KΩ/47KΩ, 6-SOT-666

The is a dual NPN Resistor Equipped Transistor RET encapsulated in ultra-small surface-mount plastic package. It offers built-in bias resistors and simplifies circuit design. It is designed for use with low current peripheral driver, control of IC inputs and replaces general-purpose transistors in digital applications.

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100mA Output current capability
.
Reduces component count
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AEC-Q101 Qualified
PEMH9,115中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 100 @5mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666-6

外形尺寸

宽度 1.3 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-666-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PEMH9,115引脚图与封装图
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在线购买PEMH9,115
型号 制造商 描述 购买
PEMH9,115 NXP 恩智浦 NXP  PEMH9,115.  晶体管, 带电阻, NPN, 50V, 100mA, 10KΩ/47KΩ, 6-SOT-666 搜索库存
替代型号PEMH9,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PEMH9,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-666 NPN 300mW

当前型号

NXP  PEMH9,115.  晶体管, 带电阻, NPN, 50V, 100mA, 10KΩ/47KΩ, 6-SOT-666

当前型号

型号: PEMH9,315

品牌: 恩智浦

封装: SOT-563 NPN

完全替代

PEMH9 系列 50 V 100 mA NPN/NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-666

PEMH9,115和PEMH9,315的区别

型号: BZV55-C4V7,115

品牌: 恩智浦

封装: SOD-80C

功能相似

NXP  BZV55-C4V7,115  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C

PEMH9,115和BZV55-C4V7,115的区别

型号: NSBC114YDP6T5G

品牌: 安森美

封装: SOT-963 NPN 408mW

功能相似

双NPN偏置电阻晶体管 Dual NPN Bias Resistor Transistors

PEMH9,115和NSBC114YDP6T5G的区别