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CY7C1518KV18-250BZC、CY7C1518KV18-250BZI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1518KV18-250BZC CY7C1518KV18-250BZI

描述 72兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst ArchitectureCY7C1518AV18 72 Mb (4 M x 18) 250 MHz 1.8 V DDR-II 2-字突发 SRAM - FBGA-165

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165

时钟频率 250 MHz 250 MHz

位数 - 18

存取时间(Max) - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

存取时间 0.45 ns -

电源电压(Max) 1.9 V -

电源电压(Min) 1.7 V -

高度 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a