BUK101-50GL、IRFZ14PBF、VNP28N04对比区别

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型号 BUK101-50GL IRFZ14PBF VNP28N04

描述 功率MOS晶体管逻辑电平TOPFET PowerMOS transistor Logic level TOPFET功率MOSFET Power MOSFET？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管开关电源

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 50.0 V 60.0 V 42.0 V

额定电流 26.0 A 10.0 A 28.0 A

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 75 W 43 W 83.0 W

漏源极电压(Vds) 50 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 26A 10.0 A 28.0 A

上升时间 4 ns 50 ns -

下降时间 7 ns 19 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

输出接口数 - - 1

漏源极电阻 - 0.2 Ω 35.0 mΩ

漏源击穿电压 - 60.0 V 42.0 V

输入电压(Max) - - 18 V

输出电流(Max) - - 20 A

输入数 - - 1

耗散功率(Max) - 43 W 83000 mW

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 2 V -

输入电容(Ciss) - 300pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 43 W -

长度 10.3 mm 10.41 mm -

宽度 4.7 mm 4.7 mm -

高度 9.4 mm 9.01 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -