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2SK4196LS-1E、BFL4004-1E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SK4196LS-1E BFL4004-1E

描述 TO-220F N-CH 500V 5.5A800V,6.5A,2.5Ohm,N沟道功率MOSFET

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220F-3 TO-220F-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2W (Ta), 30W (Tc) 2 W

漏源极电压(Vds) 500 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 5.5A 6.5A

上升时间 - 44 ns

输入电容(Ciss) 360pF @30V(Vds) 710pF @30V(Vds)

下降时间 - 44 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 2W (Ta), 30W (Tc) 2W (Ta), 36W (Tc)

封装 TO-220F-3 TO-220F-3

材质 - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free