BFL4004-1E中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 6.5A
上升时间 44 ns
输入电容Ciss 710pF @30VVds
下降时间 44 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta, 36W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220F-3
外形尺寸
封装 TO-220F-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
BFL4004-1E引脚图与封装图
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在线购买BFL4004-1E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFL4004-1E | ON Semiconductor 安森美 | 800V,6.5A,2.5Ohm,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号BFL4004-1E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BFL4004-1E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 N-CH 800V 6.5A | 当前型号 | 800V,6.5A,2.5Ohm,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： 2SK4196LS-1E 品牌： 安森美 封装： TO N-CH 500V 5.5A | 类似代替 | TO-220F N-CH 500V 5.5A | BFL4004-1E和2SK4196LS-1E的区别 |
| 型号： BFL4004 品牌： 安森美 封装： TO-220F-3FS N-CH 800V 4.3A 2.5ohms 4V | 功能相似 | TO-220F-3FS N-CH 800V 4.3A 2.5Ω | BFL4004-1E和BFL4004的区别 |