PBSS4160DPN、PBSS4160DPN,115对比区别
型号 PBSS4160DPN PBSS4160DPN,115
描述 NPN/PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsNexperia PBSS4160DPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 (PNP) MHz,220 (NPN) MHz, 6引脚
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 TSOP SC-74-6
极性 NPN+PNP -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V
集电极最大允许电流 1A/0.9A -
最小电流放大倍数(hFE) 100 100
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 700 mW 700 mW
额定功率 - 0.56 W
针脚数 - 6
耗散功率 - 290 mW
最大电流放大倍数(hFE) - 250 @1mA, 5V
额定功率(Max) - 420 mW
直流电流增益(hFE) - 500
长度 3.1 mm 3.1 mm
宽度 1.7 mm 1.7 mm
高度 1 mm 1 mm
封装 TSOP SC-74-6
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅
工作温度 - 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99