PBSS4160DPN,115
数据手册.pdf
Nexperia
安世
分立器件
PBSS4160DPN,115中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.56 W
针脚数 6
耗散功率 290 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100
最大电流放大倍数hFE 250 @1mA, 5V
额定功率Max 420 mW
直流电流增益hFE 500
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 700 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-74-6
外形尺寸
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 SC-74-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, 电源管理, 工业
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
PBSS4160DPN,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PBSS4160DPN,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS4160DPN,115 | Nexperia 安世 | Nexperia PBSS4160DPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 PNP MHz，220 NPN MHz, 6引脚 | 搜索库存 |
替代型号PBSS4160DPN,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS4160DPN,115 品牌： Nexperia 安世 封装： 6-TSOP | 当前型号 | Nexperia PBSS4160DPN,115, 双 NPN + PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 PNP MHz，220 NPN MHz, 6引脚 | 当前型号 |
| 型号： PBSS4160DPN 品牌： 安世 封装： TSOP | 完全替代 | 低饱和电压双 NPN/PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia | PBSS4160DPN,115和PBSS4160DPN的区别 |
| 型号： BZX84-B10,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia BZX84-B10,215 单路 齐纳二极管, 10V 2% 250 mW, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | PBSS4160DPN,115和BZX84-B10,215的区别 |