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STL60N32N3LL、STL80N3LLH6、STS15N4LLF5对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STL60N32N3LL STL80N3LLH6 STS15N4LLF5

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 32A/60A 8Pin Power Flat T/RN沟道 30 V 5.2 mOhm STripFET™ VI DeepGATE™ 功率 MosfetSO N-CH 40V 15A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 PowerVDFN-8 PowerVDFN-8 SOIC-8

引脚数 8 8 -

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 6.25 mΩ

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 - 60 W 3 W

阈值电压 - 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 40 V

漏源击穿电压 - - 40 V

连续漏极电流(Ids) - 80A 15A

上升时间 - 30 ns 42 ns

输入电容(Ciss) 950pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds) 1570pF @25V(Vds)

下降时间 - 12 ns 5.2 ns

耗散功率(Max) - 60W (Tc) 3W (Tc)

额定功率(Max) - 60 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 PowerVDFN-8 PowerVDFN-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free