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ADR02BR、REF02AU、REF02BU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR02BR REF02AU REF02BU

描述 超小型Precision10 V / 5 V / 2.5 V / 3.0 V电压参考 Ultracompact Precision10 V/5 V/2.5 V/3.0 V Voltage ReferencesTEXAS INSTRUMENTS  REF02AU  电压基准, 精密, 系列 - 固定, REF02系列, 5V, SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  REF02BU  芯片, 串联电压基准, 5V, 10mV, 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 - 1.40 A 1.40 A

容差 ±0.06 % ±0.3 % ±0.2 %

输入电压(DC) 40.0V (max) 8.00V ~ 33.0V 8.00V ~ 33.0V

输出电压 5 V 5 V 5 V

输出电流 10 mA 21 mA 21 mA

供电电流 1 mA 1.4 mA 1.4 mA

通道数 1 1 1

针脚数 - 8 8

静态电流 - 1.00 mA 1.00 mA

输入电压(Max) 36 V 40 V 40 V

输入电压(Min) - 8 V -

输出电压(Max) 5 V 5.015 V 5.01 V

输出电压(Min) 5 V 5 V 5 V

输出电流(Max) - 21 mA 21 mA

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

精度 - 0.2 % ±0.2 %

额定电压 - 5 V 5 V

输入电压 7V ~ 36V 8V ~ 40V 8V ~ 40V

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

温度系数 ±3 ppm/℃ ±15 ppm/℃ ±4 ppm/℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -