CY7C1245KV18-400BZC、CY7C1245KV18-400BZXI、CY7C1245KV18-400BZXC对比区别

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型号 CY7C1245KV18-400BZC CY7C1245KV18-400BZXI CY7C1245KV18-400BZXC

描述 36兆位QDR® II SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR® II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)静态随机存取存储器 36MB (1Mx36) 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器CY7C1245KV18 系列 36 Mb (1 M x 36) 1.8 V 400 MHz QDR II SRAM - FBGA

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

供电电流 - - 920 mA

时钟频率 - 400 MHz 400 MHz

位数 36 36 36

存取时间 - 50 ns 0.45 ns

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a