CY7C1245KV18-400BZXC
数据手册.pdfCypress Semiconductor(赛普拉斯)
电子元器件分类
CY7C1245KV18-400BZXC中文资料参数规格
技术参数
供电电流 920 mA
时钟频率 400 MHz
位数 36
存取时间 0.45 ns
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
外形尺寸
封装 FBGA-165
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 3A991.b.2.a
CY7C1245KV18-400BZXC引脚图与封装图
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在线购买CY7C1245KV18-400BZXC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C1245KV18-400BZXC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | CY7C1245KV18 系列 36 Mb 1 M x 36 1.8 V 400 MHz QDR II SRAM - FBGA | 搜索库存 |
替代型号CY7C1245KV18-400BZXC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C1245KV18-400BZXC 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： FBGA | 当前型号 | CY7C1245KV18 系列 36 Mb 1 M x 36 1.8 V 400 MHz QDR II SRAM - FBGA | 当前型号 |
| 型号： CY7C1245KV18-400BZC 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 完全替代 | 36兆位QDR® II SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR® II SRAM 4-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency | CY7C1245KV18-400BZXC和CY7C1245KV18-400BZC的区别 |
| 型号： CY7C1245KV18-400BZXI 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 类似代替 | 静态随机存取存储器 36MB 1Mx36 1.8v 400MHz QDR II 静态随机存取存储器 | CY7C1245KV18-400BZXC和CY7C1245KV18-400BZXI的区别 |