FDMC5614P、NTTFS5116PLTAG对比区别
型号 FDMC5614P NTTFS5116PLTAG
描述 PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。ON SEMICONDUCTOR NTTFS5116PLTAG MOSFET Transistor, P Channel, -5.7 A, -60 V, 0.037 ohm, -10 V, -3 V 新
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 Power-33-8 WDFN-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.084 Ω 0.037 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 2.1 W 3.2 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
上升时间 11 ns 58 ns
输入电容(Ciss) 1055pF @30V(Vds) 1258pF @30V(Vds)
额定功率(Max) 2.1 W 3.2 W
下降时间 11 ns 37 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 42W (Tc) 3.2W (Ta), 40W (Tc)
额定电压(DC) -60.0 V -
额定电流 -5.70 A -
通道数 1 -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) -5.70 A -
长度 3.3 mm 3.15 mm
宽度 3 mm 3.15 mm
高度 0.95 mm 0.75 mm
封装 Power-33-8 WDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -