FDMC5614P
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMC5614P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -5.70 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.084 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.1 W
漏源极电压Vds 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -5.70 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1055pF @30VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3 mm
高度 0.95 mm
封装 Power-33-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDMC5614P引脚图与封装图
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在线购买FDMC5614P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMC5614P | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDMC5614P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDMC5614P 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： Power P-Channel -60V -5.7A 84mohms | 当前型号 | PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： NTTFS5116PLTAG 品牌： 安森美 封装： WDFN P-Channel | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTTFS5116PLTAG MOSFET Transistor, P Channel, -5.7 A, -60 V, 0.037 ohm, -10 V, -3 V 新 | FDMC5614P和NTTFS5116PLTAG的区别 |