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IRF7204、IRF7204TRPBF、MMSF3P02HDR2G对比区别

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型号 IRF7204 IRF7204TRPBF MMSF3P02HDR2G

描述 SOIC P-CH 20V 5.3AINFINEON  IRF7204TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.3 A, -20 V, 0.06 ohm, -10 V, -2.5 VP 通道功率 MOSFET,20V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -20.0 V - -20.0 V

额定电流 -5.30 A - -3.00 A

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 2.5W (Tc) 2.5 W 2.5 W

产品系列 IRF7204 - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 5.30 A 5.3A 5.60 A

上升时间 26.0 ns 26 ns 135 ns

输入电容(Ciss) 860pF @10V(Vds) 860pF @10V(Vds) 1400pF @16V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 2.5W (Ta)

漏源极电阻 - 0.06 Ω 0.06 Ω

阈值电压 - - 1.5 V

输入电容 - 860 pF 1.40 nF

栅电荷 - - 46.0 nC

漏源击穿电压 - - 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 2.5 W -

针脚数 - 8 -

下降时间 - 68 ns -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99