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BC846ALT1G、BC846ALT3G、BC 846A E6433对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC846ALT1G BC846ALT3G BC 846A E6433

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC846ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFENPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz -

额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V 65.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 3 - -

极性 NPN NPN -

耗散功率 300 mW 225 mW 330 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 225 mW 330 mW

直流电流增益(hFE) 100 180 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 330 mW

长度 2.9 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 2.64 mm -

高度 0.94 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -