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71V67903S80PFGI8、IDT71V67903S80PF、71V67903S80PFI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V67903S80PFGI8 IDT71V67903S80PF 71V67903S80PFI

描述 静态随机存取存储器 9M 3.3V PB静态随机存取存储器 SLOW F/T256K X 36 , 512K X 18 3.3V同步SRAM 3.3VI / O ,突发流量计数器,通过输出,单周期取消 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect9M 3.3V PBSRAM SLOW, F/T,

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 TQFP-100 LQFP-100 LQFP

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 100 - -

封装 TQFP-100 LQFP-100 LQFP

长度 20 mm - -

宽度 14 mm - -

高度 1.4 mm - -

厚度 1.40 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray -

存取时间 8 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 无铅 Contains Lead -

ECCN代码 - 3A991 -