W988D6FBGX6E、W988D6FBGX7E对比区别

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型号 W988D6FBGX6E W988D6FBGX7E

描述 DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 54Pin VFBGASynchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE , VFBGA-54

数据手册 --

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片

引脚数 54 54

封装 TFBGA-54 TFBGA-54

位数 16 16

存取时间(Max) 6ns, 5.4ns 8ns, 5.4ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -25 ℃ -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

封装 TFBGA-54 TFBGA-54

工作温度 -25℃ ~ 85℃ -25℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99