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W988D6FBGX7E

W988D6FBGX7E

数据手册.pdf

Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE , VFBGA-54

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 133MHz 5.4ns 54-VFBGA 8x9


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA


立创商城:
W988D6FBGX7E


艾睿:
DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA


W988D6FBGX7E中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间Max 8ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

引脚数 54

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

W988D6FBGX7E引脚图与封装图
W988D6FBGX7E引脚图

W988D6FBGX7E引脚图

W988D6FBGX7E封装图

W988D6FBGX7E封装图

W988D6FBGX7E封装焊盘图

W988D6FBGX7E封装焊盘图

在线购买W988D6FBGX7E
型号 制造商 描述 购买
W988D6FBGX7E Winbond Electronics 华邦电子股份 Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE , VFBGA-54 搜索库存
替代型号W988D6FBGX7E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: W988D6FBGX7E

品牌: Winbond Electronics 华邦电子股份

封装: 54-TFBGA

当前型号

Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE , VFBGA-54

当前型号

型号: W988D6FBGX6E

品牌: 华邦电子股份

封装: 54-TFBGA

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W988D6FBGX7E和W988D6FBGX6E的区别

型号: W988D6FBGX6I

品牌: 华邦电子股份

封装: VFBGA

功能相似

Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE , VFBGA-54

W988D6FBGX7E和W988D6FBGX6I的区别