位数 16
存取时间Max 8ns, 5.4ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -25 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.95V
引脚数 54
封装 TFBGA-54
封装 TFBGA-54
工作温度 -25℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
W988D6FBGX7E引脚图
W988D6FBGX7E封装图
W988D6FBGX7E封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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W988D6FBGX7E | Winbond Electronics 华邦电子股份 | Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE , VFBGA-54 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: W988D6FBGX7E 品牌: Winbond Electronics 华邦电子股份 封装: 54-TFBGA | 当前型号 | Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE , VFBGA-54 | 当前型号 | |
型号: W988D6FBGX6E 品牌: 华邦电子股份 封装: 54-TFBGA | 功能相似 | DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 54Pin VFBGA | W988D6FBGX7E和W988D6FBGX6E的区别 | |
型号: W988D6FBGX6I 品牌: 华邦电子股份 封装: VFBGA | 功能相似 | Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 9MM, 0.8MM PITCH, HALOGEN AND LEAD FREE , VFBGA-54 | W988D6FBGX7E和W988D6FBGX6I的区别 |