SIHP24N65E-GE3、STP31N65M5、STP23NM60ND对比区别

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型号 SIHP24N65E-GE3 STP31N65M5 STP23NM60ND

描述 E系列功率MOSFET E Series Power MOSFETN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STP23NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.12 Ω 148 mΩ 0.15 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 250 W 150 W 150 W

阈值电压 2 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 24A 22A 19.5A

上升时间 84 ns - 19 ns

输入电容(Ciss) 2740pF @100V(Vds) 816pF @100V(Vds) 2100pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 150 W 150 W

下降时间 69 ns - 42 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250 W 150W (Tc) 150W (Tc)

漏源击穿电压 - 650 V -

长度 10.51 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 4.65 mm 4.6 mm 4.6 mm

高度 15.49 mm 15.75 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17