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STP31N65M5

STP31N65M5

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N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

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得捷:
MOSFET N-CH 650V 22A TO220


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N沟道 650V 22A


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### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


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STP31M65M5 系列 N沟道 650 V 0.148 Ohm MDmesh™ V 功率 Mosfet - TO-220


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MOSFET N-CH 650V 22A TO-220


STP31N65M5中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 148 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 650 V

连续漏极电流Ids 22A

输入电容Ciss 816pF @100VVds

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STP31N65M5引脚图与封装图
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在线购买STP31N65M5
型号 制造商 描述 购买
STP31N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STP31N65M5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STP31N65M5

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220 N-CH 650V 22A

当前型号

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

当前型号

型号: SIHP24N65E-GE3

品牌: 威世

封装: TO-220AB N-Channel 650V 24A 145mΩ

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E系列功率MOSFET E Series Power MOSFET

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