NTS2101PT1、NTS2101PT1G对比区别

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型号 NTS2101PT1 NTS2101PT1G

描述 功率MOSFET -8.0 V， -1.4 A，单P沟道， SC- 70 Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70ON SEMICONDUCTOR  NTS2101PT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SC-70-3 SOT-323-3

额定电压(DC) -8.00 V -8.00 V

额定电流 -1.40 A -1.40 A

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 117 mΩ 0.1 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 290mW (Ta) 290 mW

阈值电压 - 700 mV

漏源极电压(Vds) 8 V 8 V

漏源击穿电压 - 8 V

栅源击穿电压 ±8.00 V ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) 1.40 A 1.40 A

上升时间 - 15 ns

输入电容(Ciss) 640pF @8V(Vds) 640pF @8V(Vds)

额定功率(Max) 290 mW 290 mW

下降时间 - 18 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 290mW (Ta) 290mW (Ta)

输入电容 640 pF -

栅电荷 6.40 nC -

长度 - 2.2 mm

宽度 - 1.24 mm

高度 - 0.9 mm

封装 SC-70-3 SOT-323-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99