NTS2101PT1G
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
NTS2101PT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -8.00 V
额定电流 -1.40 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 290 mW
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 8 V
漏源击穿电压 8 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 1.40 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 640pF @8VVds
额定功率Max 290 mW
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 290mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 电源管理, Portable Devices, 工业, 便携式器材, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
海关信息
ECCN代码 EAR99
NTS2101PT1G引脚图与封装图 
NTS2101PT1G引脚图
NTS2101PT1G封装焊盘图
在线购买NTS2101PT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NTS2101PT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR NTS2101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV | 搜索库存 |
替代型号NTS2101PT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NTS2101PT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 P-Channel -8V 1.4A 117mohms | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR NTS2101PT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.4 A, -8 V, 100 mohm, -4.5 V, -700 mV | 当前型号 |
| 型号： BSH202 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23/SC-59 P-Channel 30V 0.52A | 功能相似 | NXP BSH202 晶体管, MOSFET, P沟道, -520 mA, -30 V, 0.63 ohm, -10 V, -1.9 V | NTS2101PT1G和BSH202的区别 |
| 型号： NTS2101PT1 品牌： 安森美 封装： SOT-323 P-Channel 8V 1.4A 117mΩ 640pF | 功能相似 | 功率MOSFET -8.0 V， -1.4 A，单P沟道， SC- 70 Power MOSFET −8.0 V, −1.4 A, Single P−Channel, SC−70 | NTS2101PT1G和NTS2101PT1的区别 |