锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TN5325N3-G、TN5325N3-G-P002、2SK3018T106对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TN5325N3-G TN5325N3-G-P002 2SK3018T106

描述 TO-92 N-CH 250V 0.215ATrans MOSFET N-CH 250V 0.215A 3Pin TO-92 T/RROHM  2SK3018T106  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 SOT-323

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 100 mA

针脚数 - - 3

漏源极电阻 7.00 Ω - 8 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 740 mW 740mW (Ta) 200 mW

阈值电压 - - 1.5 V

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 30 V

漏源击穿电压 250 V - 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 215 mA - 100 mA

上升时间 15 ns - 35 ns

输入电容(Ciss) 110pF @25V(Vds) 110pF @25V(Vds) 13pF @5V(Vds)

额定功率(Max) - - 200 mW

下降时间 25 ns - 80 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 740mW (Ta) 740mW (Ta) 200mW (Ta)

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 0.74 W - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 TO-92-3 TO-92-3 SOT-323

长度 5.21 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Unknown Unknown Not For New Designs

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99