锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MUN5136T1、PDTA115TU,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5136T1 PDTA115TU,115

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorSC-70 PNP 50V 100mA

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SC-70-3 SOT-323-3

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 100 @1mA, 5V

额定功率(Max) 202 mW 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW

极性 PNP PNP

耗散功率 - 200 mW

集电极最大允许电流 100mA 100mA

额定电压(DC) -50.0 V -

额定电流 -100 mA -

封装 SC-70-3 SOT-323-3

高度 - 1 mm

工作温度 - -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free