IDD06SG60C、IDD06SG60CXTMA1、IDH06SG60C对比区别
型号 IDD06SG60C IDD06SG60CXTMA1 IDH06SG60C
描述 INFINEON IDD06SG60C 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 肖特基二极管TVS二极管TVS二极管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 2
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-2
额定功率 71 W - 71 W
负载电流 6 A - 6 A
正向电压 - 2.3V @6A 2.3V @6A
耗散功率 - - 71 W
反向恢复时间 - 0 ns 0 ns
正向电流 6 A - 6 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 32 A - 32 A
正向电压(Max) - - 2.3 V
正向电流(Max) - - 6 A
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
工作结温(Max) 175 ℃ - 175 ℃
长度 6.73 mm - 9.9 mm
宽度 6.22 mm - 4.4 mm
高度 2.41 mm - 9.2 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
香港进出口证 - - NLR
ECCN代码 EAR99 - -