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IDD06SG60C

IDD06SG60C

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IDD06SG60C  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252

XTMA1, SP000786808


立创商城:
600V 6A 2.1V@6A


贸泽:
肖特基二极管与整流器 SIC DIODEN


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 DPAK


安富利:
Diode Schottky 600V 6A 3-Pin TO-252 T/R


Chip1Stop:
Diode Schottky 600V 6A 3-Pin2+Tab TO-252


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 6A; 71W; PG-TO252-3


Newark:
# INFINEON  IDD06SG60C  Silicon Carbide Schottky Diode, thinQ 3G 600V Series, Single, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252


儒卓力:
**SiC-Diode 600V 6A 2.30V TO252-3 **


IDD06SG60C中文资料参数规格
技术参数

额定功率 71 W

负载电流 6 A

正向电流 6 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 32 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IDD06SG60C引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IDD06SG60C
型号 制造商 描述 购买
IDD06SG60C Infineon 英飞凌 INFINEON  IDD06SG60C  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252 搜索库存
替代型号IDD06SG60C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IDD06SG60C

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-252

当前型号

INFINEON  IDD06SG60C  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 3G 600V系列, 单, 600 V, 6 A, 8 nC, TO-252

当前型号

型号： IDD06SG60CXTMA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL

完全替代

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

IDD06SG60C和IDD06SG60CXTMA1的区别

型号： IDH06SG60C

品牌： 英飞凌

封装： TO-220

类似代替

thinQ!™ 碳化硅 SiC 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon

IDD06SG60C和IDH06SG60C的区别