STF23NM60N、STF23NM60ND、STF25NM60ND对比区别

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型号 STF23NM60N STF23NM60ND STF25NM60ND

描述 N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STF23NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STF25NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.15 Ω 0.13 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 35 W 35 W 40 W

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 9.50 A 19.5A 21A

上升时间 15 ns 19 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 2050pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds) 2400pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 35 W 40 W

下降时间 36 ns 42 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 35W (Tc) 35W (Tc) 40W (Tc)

漏源击穿电压 - - 600 V

宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.4 mm - 10.4 mm

高度 9.3 mm - 16.4 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/06/16

ECCN代码 - - EAR99