STF23NM60N中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 35 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 9.50 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 2050pF @50VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 35W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STF23NM60N引脚图与封装图
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在线购买STF23NM60N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STF23NM60N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STF23NM60N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STF23NM60N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220-3 N-Channel 9.5A | 当前型号 | N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STF25NM60ND 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel 600V 21A | 类似代替 | STMICROELECTRONICS STF25NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V | STF23NM60N和STF25NM60ND的区别 |
| 型号： STF23NM60ND 品牌： 意法半导体 封装： TO-220FP N-Channel 600V 19.5A | 类似代替 | STMICROELECTRONICS STF23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V | STF23NM60N和STF23NM60ND的区别 |
| 型号： SPA20N65C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 650V 20.7A 2.4nF | 功能相似 | 新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated | STF23NM60N和SPA20N65C3的区别 |