PDTA123TE、PDTA123TE,115对比区别

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型号 PDTA123TE PDTA123TE,115

描述 PNP电阻配备晶体管; R1 = 2.2千瓦， R2 =开放 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = openSC-75 PNP 50V 100mA

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-416 SOT-416

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @20mA, 5V 30 @20mA, 5V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW

封装 SOT-416 SOT-416

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free