PDTA123TE,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PDTA123TE,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @20mA, 5V
额定功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-416
外形尺寸
封装 SOT-416
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTA123TE,115引脚图与封装图
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在线购买PDTA123TE,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTA123TE,115 | NXP 恩智浦 | SC-75 PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号PDTA123TE,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTA123TE,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT416 PNP | 当前型号 | SC-75 PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PDTA123TE 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | PNP电阻配备晶体管; R1 = 2.2千瓦， R2 =开放 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = open | PDTA123TE,115和PDTA123TE的区别 |