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MTP2P50EG、VP2450N8-G、MTP2P50E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTP2P50EG VP2450N8-G MTP2P50E

描述 ON SEMICONDUCTOR  MTP2P50EG  晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -500 V, 6 ohm, 10 V, -3 VTrans MOSFET P-CH 500V 0.16A 4Pin(3+Tab) SOT-89TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 6Ω

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Supertex (超科) Motorola (摩托罗拉)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 4 -

封装 TO-220-3 SOT-89-3 -

安装方式 Through Hole - -

额定功率 - 1.6 W -

漏源极电阻 6 Ω 30.0 Ω -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 75 W 1.60 W -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

额定电压(DC) -500 V - -

额定电流 -2.00 A - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

输入电容 1.18 nF - -

栅电荷 27.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 500 V - -

漏源击穿电压 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.00 A - -

上升时间 14 ns - -

输入电容(Ciss) 1183pF @25V(Vds) - -

额定功率(Max) 75 W - -

下降时间 19 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

耗散功率(Max) 75W (Tc) - -

封装 TO-220-3 SOT-89-3 -

长度 10.53 mm - -

宽度 4.83 mm - -

高度 15.75 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

HTS代码 - 8541900000 -