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AS6C8008-55BIN、AS6C8008-55BINTR、CY62158EV30LL-45BVXI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS6C8008-55BIN AS6C8008-55BINTR CY62158EV30LL-45BVXI

描述 AS6C8008 系列 8 Mb (1024 K x 8) 3 V 55 ns CMOS 静态 RAM - TFBGA-48AS6C8008 Series 8Mbit (1024K x 8) 3V 55ns CMOS Static RAM - TFBGA-48CY62158EV30 系列 8 Mb (1024 K x 8) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态RAM - VFBGA-48

数据手册 ---

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 - 48

封装 TFBGA-48 TFBGA-48 VFBGA-48

电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 - - 25 mA

针脚数 - - 48

位数 - - 8

存取时间 55 ns 55 ns 45 ns

存取时间(Max) - - 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V 2.2V ~ 3.6V

工作电压 2.7V ~ 5.7V 2.7V ~ 5.8V -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

封装 TFBGA-48 TFBGA-48 VFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - 3A991.b.2.a